发现极性无机材料有更大的带隙能（图3-3），远光优秀所预测的热机械性能与实验和计算的数据基本吻合（图3-4）。

通过DFT计算，软件荣获研究人员系统研究了不同低指数锐钛矿TiO2表面的水裂解反应途径。[18] （2）表面反应经历了电荷的分离和传输过程之后，年度电子在光阴极表面汇聚并且注入到电解液中进行HER，年度同时空穴在光阳极表面被收集并注入到电解液中进行OER。

（图3）不同半导体的晶面工程可能需要不同的封头剂，共享而半导体晶体的暴露面对封头剂的浓度非常敏感。服务读者可以参考最近的评论文章以获得更多信息。中心用于制备晶面定向半导体膜的自上而下的路线是选择性的蚀刻和氧化相应的金属箔为具有特定晶面的金属氧化物半导体。

光电极的电荷分离和转移性能高度依赖于光电极材料的物理化学性质和表面状态、大奖电解质和应用电位。[21]（3）引入固有缺陷类似于异质原子掺杂，远光优秀创造缺陷，比如氧空位，能够调控金属氧化物的电子结构。

3晶面的各向异性由于各晶面原子排列的不同，软件荣获半导体晶体表现出独特的晶面各向异性，软件荣获包括各向异性表面电子结构、各向异性氧化还原反应位点、各向异性表面内置电场、各向异性光反应活性、各向异性光腐蚀。

（1）在导电基底上生长对于非原位制备策略，年度首先合成具有高反应活性面的半导体晶体是重要的。采用高效、共享低温的方法将硅和MXene均匀地结合很重要和极具挑战性

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